FM25V02-G IC elettronico scheggia la memoria di serie di 256Kb 3V F-RAM

FM25V02

memoria di serie di 256Kb 3V F-RAM

Caratteristiche

256K ha morso RAM non volatile ferroelettrico

• Organizzato come 32.768 x 8 bit
• L'alta resistenza 100 trilione (1014) ha letto/scrive
• Una conservazione di 10 dati di anno
• NoDelay™ scrive
• Processo ferroelettrico di Alto-affidabilità avanzata

Interfaccia periferica di serie molto veloce - SPI

• Fino a 40 megahertz di frequenza
• Sostituzione diretta dell'hardware per il flash di serie
• Modi 0 & 3 di SPI (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)

Scriva lo schema della protezione

• Protezione dell'hardware
• Protezione di software

Identificazione del dispositivo e numero di serie

• L'identificazione del dispositivo legge fuori l'identificazione del produttore & l'identificazione della parte
• Numero di serie unico (FM25VN02)

Bassa tensione, potere basso

• Operazione di bassa tensione 2.0V – 3.6V
• corrente del appoggio di 90 μA (tipo.)
• corrente di sleep mode di 5 μA (tipo.)

Configurazioni dello standard industriale

• Temperatura industriale -40℃ a +85℃
• pacchetto di /RoHS SOIC «di verde 8-pin»
• pacchetto di /RoHS TDFN «di verde 8-pin»

Descrizione

Il FM25V02 è una memoria non volatile di 256 kilobit che impiega un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale o un F-RAM ferroelettrica è non volatile ed esegue legge e scrive come RAM. Fornisce la conservazione affidabile di dati per 10 anni mentre elimina le complessità, le spese generali ed i problemi livellati dell'affidabilità del sistema causati da memorie istantanee ed altre non volatili di serie.

A differenza del flash di serie, il FM25V02 esegue per scrivere le operazioni alla velocità del bus. Nessun scriva i ritardi sono incontrati. I dati sono redatti alla matrice di memoria subito dopo che sono stati trasferiti al dispositivo. Il ciclo seguente del bus può cominciare senza l'esigenza di votazione di dati. Il prodotto offre molto su scrivere la resistenza, ordini di grandezza più resistenza che il flash di serie. Inoltre, F-RAM esibisce il consumo di energia più basso che il flash di serie.

Queste capacità rendono l'ideale FM25V02 per la richiesta delle applicazioni di memoria non volatile frequente o rapido scrive o l'operazione di potere basso. Gli esempi variano dalla raccolta di dati, di dove il numero scrive i cicli può essere critico, a richiedere i comandi industriali dove il lunghi scrivono il periodo del flash di serie possono causare la perdita di dati.

Il FM25V02 fornisce i benefici sostanziali agli utenti del flash di serie come sostituzione della visita improvvisata dell'hardware. I dispositivi utilizzano il bus ad alta velocità di SPI, che migliora l'ad alta velocità scrive la capacità della tecnologia di F-RAM. Il FM25VN02 è offerto con un numero di serie unico che è passivo e può essere usato per identificare un bordo o un sistema. Entrambi i dispositivi comprendono un'identificazione passiva del dispositivo che permette che l'ospite determini il produttore, la densità del prodotto e la revisione del prodotto. I dispositivi sono garantiti sopra una gamma di temperature industriale di -40°C a +85°C.

Valutazioni massime assolute

Gli sforzi sopra quelli elencati nell'ambito delle valutazioni massime assolute possono danneggiare permanente il dispositivo. Ciò è una valutazione di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo a questi o di alcuni altri termini sopra quelli elencati nella sezione operativa di questa specificazione non è implicata. L'esposizione ai termini di valutazioni di massimo assolute per i periodi estesi può colpire l'affidabilità del dispositivo.

Pin Configuration

Offerta di riserva (vendita calda)