R1LP0108ESP-7SI IC elettronico scheggia i circuiti integrati di a microonde
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Serie di R1LP0108E
1Mb ha avanzato LPSRAM (128k parola x 8bit)
Descrizione
La serie di R1LP0108E è una famiglia di basse ram statiche di tensione 1-Mbit organizzate come parola 131.072 dall'8 bit, fabbricato dal 0.15um ad alto rendimento CMOS di Renesas e dalle tecnologie di TFT. La serie di R1LP0108E ha realizzato il rendimento elevato più ad alta densità e ed il basso consumo energetico. La serie di R1LP0108E è adatta ad applicazioni di memoria dove un collegamento semplice, il funzionamento della batteria ed il backup di batteria sono gli obiettivi del progetto importanti. È stata imballata in un CONTENTINO di 32 perni, in 32-pin TSOP e in uno sTSOP di 32 perni.
Caratteristiche
• Singola alimentazione elettrica 4.5~5.5V
• Piccolo supporto-da corrente: 1µA (5.0V, tipici)
• Nessun orologio, nessun rinfresca
• Tutti gli input ed uscite sono TTL compatibile.
• Espansione di memoria facile da CS1# e da CS2
• Ingresso/uscita comune di dati
• uscite dello Tre-stato: capacità del O-legame
• OE# impedisce il conflitto di dati sul bus dell'ingresso/uscita
Massimo assoluto
Parametro | Simbolo | Valore | unità | |
Tensione di alimentazione elettrica riguardante il Vss | Vcc | -0,3 - +7 | V | |
Tensione terminale su qualsiasi perno riguardante il Vss | VT | -0,3*1 a Vcc+0.3*2 | V | |
Dissipazione di potere | ||||
Temperatura di operazione | Topr *3 | R Ver. | 0 - +70 | °C |
Io Ver. | -40 - +85 | |||
Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | -65 - 150 | °C | |
Gamma di temperature di stoccaggio nell'ambito di polarizzazione | Tbias *3 | R Ver. | 0 - +70 | °C |
Io Ver. | -40 - +85 |
Nota 1. – 3.0V per il ≤ 30ns di impulso (di grande ampiezza al mezzo massimo)
2. la tensione massima è +7V.
3. la gamma di temperatura ambiente dipende da R/I-version. Vedi prego la tavola alla pagina 1.
Schema a blocchi
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
PS2703-1-F3-A | 8300 | RENESAS | 15+ | SOP-4 |
PS2801-1-F3-A | 12848 | RENESAS | 10+ | SOP-4 |
PS2805-1 | 8278 | RENESAS | 16+ | SOP-4 |
PS2805-1-F3-A | 12590 | RENESAS | 13+ | SOP-4 |
TLE6230GP | 27936 | 16+ | SOP-36 | |
TLE6280GP | 14832 | 16+ | SOP-36 | |
TLE6368G2 | 13990 | 16+ | SOP-36 | |
STA508 | 2549 | St | 13+ | SOP-36 |
V62C5181024LL-70WT | 2744 | MOSELLA | 13+ | SOP-32 |
RC531 | 1094 | 16+ | SOP-32 | |
TDA9850T | 2639 | PHILIPS | 16+ | SOP-32 |
R1LP0408CSP-5SI | 2186 | RENESAS | 16+ | SOP-32 |
R1LP0408CSP-7LC | 28776 | RENESAS | 13+ | SOP-32 |
R1LV0408DSP-5SI | 2312 | RENESAS | 13+ | SOP-32 |
STK14C88-NF35 | 18244 | SIMTEK | 13+ | SOP-32 |
TLE6262G | 9228 | 14+ | SOP-28 | |
USBN9603-28MX | 3077 | NS | 06+ | SOP-28 |
TDA8024T/C1 | 17496 | 13+ | SOP-28 | |
SAA3010T | 22100 | PHILIPS | 10+ | SOP-28 |
PT6964-S | 11622 | Ptc | 16+ | SOP-28 |
STA013 | 1788 | St | 04+ | SOP-28 |
TDA7313D | 15240 | St | 16+ | SOP-28 |
TCA3727 | 473 | 16+ | SOP-24 | |
TCA3727G | 2000 | 1023+ | SOP-24 | |
TDA4916GG | 2732 | 16+ | SOP-24 | |
TLE4226G | 13250 | 16+ | SOP-24 | |
SAA1064 | 1667 | 10+ | SOP-24 | |
SCC2691AC1D24 | 2682 | 11+ | SOP-24 | |
TEA1713T/N2 | 3038 | 16+ | SOP-24 | |
TDA8920BTH | 1679 | PHILIPS | 16+ | SOP-24 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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