Pagina lineare dei circuiti integrati di M25PE16-VMW6TG - memoria flash di serie cancellabile
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
M25PE16
16-Mbit, memoria flash di serie pagina-cancellabile con byte-alterabilità, un bus da 75 megahertz SPI, piedinatura standard
Caratteristiche
■Interfaccia seriale compatibile del bus di SPI
■memoria flash pagina-cancellabile 16-Mbit
■Dimensione di pagina: 256 byte
– La pagina scrive in spettrografia di massa 11 (tipica)
– Programma della pagina in 0,8 spettrografie di massa (tipiche)
– La pagina cancella in spettrografia di massa 10 (tipica)
■Il subsettore cancella (4 kbyte)
■Il settore cancella (64 kbyte)
■La massa cancella (16 Mbits)
■2,7 tensione di semplice alimentazione V di 3,6 - di V
■Una frequenza di clock di 75 megahertz (massimo)
■Profondo spenga il µA del modo 1 (tipico)
■Firma elettronica
– Firma a due byte standard di JEDEC (8015h)
– Codice di identificazione unico (UID) con passivo 16 byte, disponibile su richiesta del cliente
■Il software scrive la protezione su una base del settore 64-Kbyte
■L'hardware scrive la protezione dell'area di memoria selezionata facendo uso dei pezzi BP0, BP1 e BP2
■Più di 100 000 scrivono i cicli
■Più di 20 anni di conservazione di dati
■Pacchetti – ECOPACK® (RoHS compiacente)
Descrizione
Il M25PE16 è un 16-Mbit (memoria flash impaginata di serie del × di 2 Mbits 8) raggiunta in bus SPI-compatibile ad alta velocità.
La memoria può essere scritta o 1 - 256 byte programmati per volta, facendo uso della pagina per scrivere o impaginare l'istruzione di programma. La pagina l'istruzione "write" consiste di una pagina integrata cancella il ciclo seguito da un ciclo di programma della pagina.
La memoria è organizzata come 32 settori che sono più ancora divisi in 16 subsettori ciascuno (512 subsettori nel totale). Ogni settore contiene 256 pagine ed ogni subsettore contiene 16 pagine. Ogni pagina è byte 256 largamente. Quindi, l'intera memoria può essere osservata come consistere di 8192 pagine, o 2.097.152 byte.
La memoria può essere cancellata una pagina per volta, facendo uso della pagina cancelli l'istruzione, un subsettore per volta, facendo uso del subsettore cancelli l'istruzione, un settore per volta, facendo uso del settore cancelli l'istruzione, o complessivamente, facendo uso della massa cancelli l'istruzione.
La memoria può essere protetta da scrittura dall'hardware o dal software facendo uso delle caratteristiche di protezione volatili e non volatili miste, secondo i bisogni dell'applicazione. La granularità della protezione è di 64 kbyte (granularità del settore).
Valutazione massima
La sollecitazione del dispositivo sopra la valutazione elencata nelle valutazioni massime assolute può danneggiare permanente il dispositivo. Queste sono valutazioni di sforzo soltanto e l'operazione del dispositivo a questi o di alcuni altri termini sopra quelli indicati nelle sezioni di funzionamento di questa specificazione non è implicata. L'esposizione ai termini di valutazione di massimo assoluta per i periodi estesi può colpire l'affidabilità del dispositivo.
| Simbolo | Parametro | Minuto. | Massimo. | Unità |
|---|---|---|---|---|
| TSTG | Temperatura di stoccaggio | – 65 | 150 | °C |
| TLEAD | Temperatura del cavo durante la saldatura | (1) | °C | |
| VIO | Input e tensione in uscita (riguardo a terra) | – 0,6 | VCC + 0,6 | V |
| VCC | Tensione di rifornimento | – 0,6 | 4,0 | V |
| VESD | Tensione della scarica elettrostatica (modello del corpo umano) (2) | – 2000 | 2000 | V |
Nota:
1. Soddisfacente rispetto a JEDEC Std J-STD-020C (per il piccolo ente, assemblea del Pb o del Sn-Pb), la specificazione di Numonyx ECOPACK® 7191395 e la direttiva europea sulle restrizioni sulle sostanze pericolose (RoHS) 2002/95/EU.
2. JEDEC Std JESD22-A114A (Ω PF, R1=1500 di C1=100, Ω R2=500).
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| MAX668EUB+ | 5357 | MASSIMO | 10+ | MSOP |
| MURF860G | 7793 | SU | 12+ | TO-220 |
| PBSS5540Z | 10000 | 16+ | SOT-23 | |
| MCR8SNG | 5788 | SU | 13+ | TO-220 |
| LM6181IMX-8 | 1636 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| MC74HC4066DR2G | 38000 | SU | 14+ | CONTENTINO |
| CSD10060 | 2520 | HWCAT | 14+ | QFP |
| CSD06060 | 2509 | HWCAT | 15+ | QFP |
| MCP601T-I/OT | 10000 | MICROCHIP | 16+ | SOT23-5 |
| BKP2125HS600-T | 23000 | TAIYO | 15+ | SMD |
| BK1608LM252-T | 52000 | TAIYO | 15+ | SMD |
| CLC001AJE | 1860 | NS | 11+ | SOP8 |
| LM5106MM | 3219 | TI | 15+ | VSSOP-10 |
| XRT7300IV | 500 | EXAR | 00+ | QFP44 |
| CS5530A-UCE | 936 | NS | 00+ | BGA |
| CS5536AD | 914 | AMD | 11+ | BGA |
| PIC16F887-I/SP | 4768 | MICROCHIP | 15+ | IMMERSIONE |
| LT3580EMS8E | 13382 | LINEARE | 16+ | MSOP |
| MC9S08AC128CFUE | 4522 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| LAN91C111-NS | 980 | SMSC | 13+ | QFP-128 |
| NCP1014AP100G | 8640 | SU | 11+ | IMMERSIONE |
| NCP1055P100G | 9360 | SU | 11+ | IMMERSIONE |
| NCP1014ST100T3G | 8800 | SU | 10+ | SOT-223 |
| MAX8647ETE | 8773 | MASSIMO | 16+ | QFN |
| MP020-5 | 5679 | MP | 16+ | CONTENTINO |
| NCP1075P065G | 9520 | SU | 13+ | IMMERSIONE |
| NCP1027P100G | 9120 | SU | 15+ | IMMERSIONE |
| NCP1014AP065G | 8560 | SU | 13+ | IMMERSIONE |
| NCP1027P065G | 9040 | SU | 10+ | IMMERSIONE |
| NCP1014APL065R2G | 8720 | SU | 15+ | SMD |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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