Amplificatore elettronico di MSA-1105-TR1 IC Chips Cascadable Silicon Bipolar MMIC
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
Amplificatore bipolare MMIC MSA-1105 del silicio Cascadable
Caratteristiche
• Un blocchetto Cascadable di 50 Ω di High Dynamic Range o di guadagno di 75 Ω
• larghezza di banda di dB 3: 50 megahertz - 1,3 gigahertz
• dB tipico 17,5 del dBm P1 a 0,5 gigahertz
• figura di rumore tipica di dB 3,6 a 0,5 gigahertz
• Pacchetto di plastica del supporto di superficie
• Opzione d'imballaggio della Nastro-e-bobina disponibile [1]
Nota: 1. riferisca alla sezione d'IMBALLAGGIO «Tapeand-bobina che imballa per i dispositivi a semiconduttore.»
Descrizione
Il MSA-1105 è un circuito integrato monolitico bipolare di a microonde del silicio di rendimento elevato (MMIC) alloggiato in un basso costo, pacchetto di plastica del supporto di superficie. Questo MMIC è progettato per alta gamma dinamica in qualsiasi 50 o i sistemi del Ω 75␣ combinando la figura a basso rumore con l'alto IP3. Leapplicazionitipicheincludonogliamplificatorilinearistrettieda banda larganeisistemicommercialiedindustriali.
La MSA-serie è fabbricata facendo uso dei 10 gigahertz il fT, il processo bipolare MMIC del silicio di 25 gigahertz la f max di HP che usa l'auto-allineamento del nitruro, l'impiantazione ionica e la metalizzazione dell'oro per raggiungere la prestazione, l'uniformità e l'affidabilità eccellenti. L'uso di una resistenza diagonale esterna per la temperatura e la stabilità corrente inoltre permette la flessibilità di polarizzazione.
Configurazione di polarizzazione tipica
Pacchetto di plastica 05
Valutazioni massime assolute MSA-1105
| Parametro | Massimo assoluto [1] |
|---|---|
| Corrente del dispositivo | 80 mA |
| Dissipazione di potere [2,3] | 550 Mw |
| La rf entrata l'alimentazione in ingresso | dBm +13 |
| Temperatura di giunzione | 150°C |
| Temperatura di stoccaggio | – 65 a 150°C |
Resistenza termica [2,4]: θjc = 125°C/W
Note:
1. Il danno permanente può accadere se qualcuno di questi limiti sono oltrepassati.
2. TCASE = 25°C.
3. Riduca le imposte su a 8 mW/°C per TC > 124°C.
4. Vedi la sezione «la resistenza termica» di MISURE per più informazioni.
05 dimensioni di plastica del pacchetto
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| MIC4680YM | 11361 | MICREL | 12+ | SOP-8 |
| MIC5205YM5 | 22705 | MICREL | 13+ | SOT23-5 |
| MIC5239-3.3YM | 11432 | MICREL | 16+ | SOP-8 |
| MIC5255-3.3BM5 | 11503 | MICREL | 05+ | SOT23-5 |
| MIC8115TUY | 11574 | MICREL | 06+ | SOT-143 |
| MIC811SUY | 31000 | MICREL | 15+ | SOT-143 |
| MICRF211AYQS | 6387 | MICROCHIP | 15+ | TSSOP-16 |
| MINISMDC050F-2 | 12000 | TYCO | 15+ | SMD |
| MJ15025G/MJ15024G | 2300 | SU | 16+ | TO-3 |
| MJ4502 | 3598 | SU | 15+ | TO-3 |
| MJ802G | 3846 | SU | 15+ | TO-3 |
| MJD122T4G | 61000 | SU | 16+ | TO-252 |
| MJD44H11T4G | 5681 | SU | 16+ | TO-252 |
| MJD45H11T4G | 18545 | SU | 16+ | TO-252 |
| MJE13003 | 69000 | CJ | 16+ | TO-126 |
| MJE13005A | 52000 | St | 16+ | TO-220 |
| MJE15032G+MJE15033G | 5000 | SU | 15+ | TO-220 |
| MJE15034G+MJE15035G | 5000 | SU | 16+ | TO-220 |
| MJE2955T | 19000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| MJE3055T | 20000 | FSC | 13+ | TO-220 |
| MJF122G | 17254 | SU | 13+ | TO-220F |
| MJW21193G+MJW21194G | 2000 | SU | 16+ | TO-247 |
| MK20DX256VLH7 | 1714 | FREESCALE | 16+ | LQFP-64 |
| MK64FN1M0VLQ12 | 2929 | FREESCALE | 16+ | LQFP-144 |
| MLF1608DR68KTA00 | 6000 | TDK | 16+ | SMD |
| MLF2012DR82KT000 | 30000 | TDK | 16+ | SMD |
| MLG1608SR56JT000 | 16000 | TDK | 16+ | SMD |
| MLX90614ESF-BAA-000-TU | 3574 | MELEXIS | 16+ | TO-39-4 |
| MM58167BN | 5465 | NSC | 14+ | DIP-24 |
| MM74C911N | 4979 | NSC | 14+ | DIP-28 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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