Chip 30dB, CC di 4 bit - 2,0 gigahertz AT-220 del circuito integrato dell'attenuatore di Digital
chip in electronics
,small scale integrated circuits
Attenuatore di Digital, 30 dB, gigahertz di 4 bit DC-2.0 AT-220
Caratteristiche Disegno schematico funzionale
• Punti di attenuazione 2-dB al dB 30
• Alta precisione
• Prodotto basso di intermodulazione: +50 dBm IP3
• Consumo di energia basso di CC: µW 50
• Pacchetto di plastica SOIC-16
• Imballaggio della bobina e del nastro disponibile
• Stabilità di temperatura +/--0,15 dB: -40°C a +85°C
Descrizione
M/A-COM AT-220 è 4 un bit, attenuatore digitale di GaAs MMIC di punto 2-dB in un pacchetto di plastica del supporto della superficie del cavo di basso costo SOIC 16. Il AT-220 è adatto idealmente per uso dove l'alta precisione, la commutazione veloce, il basso consumo energetico stesso ed i prodotti bassi dell'intermodulazione sono richiesti. Le applicazioni tipiche comprendono l'attrezzatura radiofonica e cellulare, LANs senza fili, le attrezzature di GPS ed altri circuiti controllo livellato/di guadagno.
Il AT-220 è fabbricato con un GaAs monolitico MMIC facendo uso di un processo maturo di 1 micron. Il processo caratterizza
passività completa del chip per la prestazione e l'affidabilità aumentate.
Pin No. | Funzione | Pin No. | Funzione |
1 | VC1 | 9 | RF2 |
2 | VC1 | 10 | Terra |
3 | VC2 | 11 | Terra |
4 | VC2 | 12 | Terra |
5 | VC3 | 13 | Terra |
6 | VC3 | 14 | Terra |
7 | VC4 | 15 | Terra |
8 | VC4 | 16 | RF1 |
Parametro | Massimo assoluto |
Alimentazione in ingresso entrata: 50 megahertz 500-2000 megahertz |
dBm +27 dBm +34 |
Tensione di controllo | -8,5 ≤ 5V del ≤ VC di V |
Temperatura di funzionamento | -40°C a +85°C |
Temperatura di stoccaggio | -65°C a +150°C |
1. Il superamento della tutto l'o combinazione di questi limiti può causare permanente
danneggiamento di questo dispositivo.
Parametro | Condizioni di prova | Frequenza | Unità | Min | Tipo | Massimo |
Perdita di inserzione (stato di riferimento) |
CC - 0,5 gigahertz Dc -1,0 gigahertz Dc -2,0 gigahertz |
dB dB dB |
-- -- -- |
1,5 1,6 1,8 |
1,7 1,8 2,1 |
|
Accuratezza 2 di attenuazione |
Dc -1,0 gigahertz Dc -2,0 gigahertz |
dB del ± (0,15 dB + 3% della regolazione di Atten nel dB) dB del ± (0,30 dB + 4% della regolazione di Atten nel dB) |
||||
VSWR | Rapporto | -- | 1.2:1 | -- | ||
Trise, Tfall | 10% a 90% rf, 90% a 10% rf | -- | NS | -- | 12 | -- |
Tonnellata, damerino |
Controllo di 50% a 90% rf, Controllo di 50% a 10% rf |
-- | NS | -- | 18 | -- |
Passeggeri | In-banda | -- | sistemi MV | -- | 25 | -- |
1 compressione di dB |
Alimentazione in ingresso entrata Alimentazione in ingresso entrata |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm del dBm |
-- -- |
20 28 |
-- -- |
IP2 |
Misurato riguardante alimentazione in ingresso entrata (Per il dBm bicolore fino a +5 di alimentazione in ingresso di entrata) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm del dBm |
-- -- |
45 68 |
-- -- |
IP3 |
Misurato riguardante alimentazione in ingresso entrata (Per il dBm bicolore fino a +5 di alimentazione in ingresso di entrata) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm del dBm |
-- -- |
40 50 |
-- -- |
Controllo corrente | |VC| = 5 V | µA | -- | 100 |
2. Le specifiche di accuratezza di attenuazione si applicano con controllo diagonale negativo e la messa a terra bassa di induttanza.
SOIC-16
Curve di prestazione tipiche

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
---|---|---|---|
![]() |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
![]() |
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
![]() |
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
![]() |
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
![]() |
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
![]() |
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
![]() |
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
![]() |
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|