Nuovo & chip originale 256K (32K x 8) RAM statico CY62256LL-70PXC del circuito integrato
chip in electronics
,small scale integrated circuits
CY62256
256K (32K x 8) RAM statico
Caratteristiche
• Alta velocità
— 55 NS
• Gamme di temperature
— Annuncio pubblicitario: 0°C a 70°C
— Industriale: – 40°C a 85°C
— Automobilistico: – 40°C a 125°C
• Gamma di tensione
— 4.5V – 5.5V
• Potenza attiva bassa e potere standby
• Espansione di memoria facile con le caratteristiche di OE e del CE
• input ed uscite TTL-compatibili
• Automatico spenga una volta deselezionato
• CMOS per velocità/potere ottimali
• Disponibile 28 in un perno standard senza Pb e non senza Pb SOIC stretto, 28 perno TSOP-1,
28-pin inverso TSOP-1 e 28 pacchetti della IMMERSIONE del perno
Descrizione funzionale
Il CY62256 è un CMOS ad alto rendimento RAM statico organizzato come parole 32K da 8 bit. L'espansione di memoria facile è fornita da un chip BASSO attivo permette (al CE) e l'uscita BASSA attiva permette a (OE) e driver di tre stati. Questo dispositivo ha un automatico spegne la caratteristica, riducente il consumo di energia di 99,9% una volta deselezionato.
Un MINIMO attivo scrivere permette al segnale (NOI) controlla la scrittura/operazione di lettura della memoria. Quando il CE e NOI introduce sono entrambi i MINIMI, dati sugli otto perni dell'ingresso/uscita di dati (I/O0 con I/O7) sono scritti nella posizione di memoria indirizzata dal presente di indirizzo sui perni di indirizzo (A0 con A14). La lettura del dispositivo è compiuta selezionando il dispositivo e permettendo alle uscite, al CE ed al MINIMO attivo di OE, mentre rimaniamo inattivi o ALTI. In queste circostanze, il contenuto della posizione indirizzata dalle informazioni sui perni di indirizzo è presente sugli otto perni dell'ingresso/uscita di dati. I perni dell'ingresso/uscita rimangono in uno stato ad alta impedenza a meno che il chip sia selezionato, uscite sono permessi a e scrivono permettono a (NOI) è ALTI.
Schema a blocchi di logica
Pin Configurations
Valutazioni massime
(Sopra che la vita utile può essere alterata. Per le linee guida dell'utente, non provato.)
Temperatura di stoccaggio ................................. – 65°C a +150°C
Temperatura ambiente con
Potere ............................................. – 55°C applicato a +125°C
Tensione di rifornimento per frantumare potenziale
(Pin 28 - Pin 14) .............................................. – 0.5V a +7V
Tensione di CC applicata alle uscite
nello stato alto--z .................................... – 0.5V a VCC + 0.5V
La CC la tensione in ingresso ................................ – 0.5V a VCC + 0.5V
Corrente d'uscita nelle uscite (IN BASSO) ............................. 20 mA
Tensione di scarica statica .......................................... > 2001V
(per MIL-STD-883, metodo 3015)
Corrente del fermo-su .................................................... > 200 mA
Raggio d'azione
| Gamma | Temperatura ambiente (TUM) | VCC |
| Annuncio pubblicitario | 0°C a +70°C | 5V ± 10% |
| Industriale | – 40°C a +85°C | 5V ± 10% |
| Automobilistico | – 40°C a +125°C | 5V ± 10% |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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