Accoppiatori ottici del fototransistor delle componenti, degli apparecchi elettronici e dei circuiti integrati di elettronica CNY17-4
small scale integrated circuits
,integrated components
Accoppiatori ottici del fototransistor delle componenti, degli apparecchi elettronici e dei circuiti integrati di elettronica CNY17-4
Accoppiatori ottici del fototransistor
Caratteristiche
■CNY17-1/2/3 sono inoltre disponibili in pacchetto bianco specificando - suffisso di m. (per esempio CNY17-2-M)
■L'UL ha riconosciuto (archivio # E90700)
■Il VDE ha riconosciuto
– 102497 per il pacchetto bianco
– Aggiunga l'opzione V per il pacchetto bianco (per esempio, CNY17-2V-M)
– Archivio #102497
– Aggiunga l'opzione “300" per il pacchetto nero (per esempio, CNY17-2.300)
– Archivio #94766
■Rapporto di trasferimento corrente nei gruppi ristretti
■Alto minimo di BVCEO-70V
Applicazioni
■Regolatori dell'alimentazione elettrica
■Input di logica di Digital
■Input del microprocessore
■Sistemi del sensore degli apparecchi
■Comandi industriali
Descrizione
La serie CNY17 consiste di un arsenuro di gallio IRED accoppiato con un fototransistor di NPN.
Pacchetto bianco (- suffisso di m.) Pacchetto nero (no - suffisso di m.)
Disegno schematico
| Parametri | Simbolo | Dispositivo | Valore | Unità |
| DISPOSITIVO TOTALE | ||||
| Temperatura di stoccaggio | TSTG | Tutti | -55 - +150 | °C |
| Temperatura di funzionamento | TOPR | Tutti | -55 - +100 | °C |
| Temperatura della lega di piombo | TSOL | Tutti | 260 per sec 10 | °C |
Dissipazione di potere totale del dispositivo @ 25°C (LED più il rivelatore) Riduca le imposte su linearmente da 25°C
| Palladio | - M. | 250 | Mw |
| non - m. | 260 | |||
| - M. | 2,94 | mW/°C | ||
| non - m. | 3,50 | |||
| EMETTITORE | ||||
| Corrente di andata continua | SE | - M. | 60 | mA |
| non - m. | 90 | |||
| Tensione inversa | VR | Tutti | 6 | V |
| Corrente di andata - picco (1 impulso dei µs, 300 pps) | SE (il PK) | - M. | 1,5 | |
| non - m. | 3,0 | |||
Dissipazione di potere del LED 25°C ambientale Riduca le imposte su linearmente da 25°C | Palladio | - M. | 120 | Mw |
| non - m. | 135 | |||
| - M. | 1,41 | mW/°C | ||
| non - m. | 1,8 | |||
| RIVELATORE | ||||
Dissipazione di potere del rivelatore @ 25°C Riduca le imposte su linearmente da 25°C | Palladio | - M. | 150 | Mw |
| non - m. | 200 | |||
| - M. | 1,76 | mW/°C | ||
| non - m. | 2,76 | |||
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Q'ty | MFG | D/C | Pacchetto |
| MAX038CWP | 522 | MASSIMO | 14+ | CONTENTINO |
| A25L040O-F | 9080 | AMIC | 09+ | SOP-8 |
| OPA4353UA/2K5G4 | 7820 | TI | 12+ | CONTENTINO |
| NCP1587DR2G | 11520 | SU | 15+ | SOP-8 |
| MPX53DP | 6106 | FREESCALE | 13+ | SORSATA |
| P8503BMG | 30000 | NIKO | 16+ | SOT-23 |
| NE570N | 2300 | PHILIPS | 15+ | IMMERSIONE |
| PA002FMG | 30000 | NIKO | 16+ | SOT-23 |
| MC74HC138AN | 10000 | MOT | 15+ | IMMERSIONE |
| MC100LVEP16DTR2G | 2387 | SU | 14+ | TSSOP |
| AZ1045-04F.R7G | 3000 | STUPORE | 14+ | DFN2510P10E |
| OPA380AID | 7580 | TI | 16+ | MSOP |
| LMX2531LQ2570E | 2378 | NSC | 12+ | QFN |
| MDF7N65BTH | 5914 | MAGNACHIP | 16+ | TO-220 |
| OPA2380AIDGKR | 7160 | TI | 16+ | MSOP |
| MM3Z47VB | 20000 | FAIRCHILD | 16+ | SOD-323 |
| LMX2531LQ2080E | 643 | TI | 11+ | QFN |
| LM319DT | 4841 | St | 13+ | SOP-14 |
| PIC18F24J10-I/SS | 4618 | MICROCHIP | 15+ | SSOP |
| LMX2531LQ1570E | 925 | NSC | 12+ | QFN |
| ZUW252412 | 200 | COSEL | 15+ | MODULO |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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