Innesco di NAND Schmitt dell'input del quadrato 2 delle componenti di elettronica di HEF4093B

Innesco di NAND Schmitt dell'input del quadrato 2 delle componenti di elettronica di HEF4093B

1. Descrizione generale

Il HEF4093B è un portone di NAND dell'due-input del quadrato. Ogni input ha uno Schmitt trigger. Il portone commuta ai punti differenti per i segnali positivo-andanti e negativo-andanti. La differenza fra la tensione positiva (VT+) e la tensione negativa ( del VT) è definita come tensione di isteresi (VH). Funziona sopra una gamma raccomandata dell'alimentazione elettrica di VDD di 3 V - 15 V fornite di rimandi al VSS (solitamente a terra). Gli input inutilizzati devono essere collegati a VDD, al VSS, o ad un altro input.

2. Caratteristiche e benefici

Distinzione dell'input di innesco di Schmitt

Completamente funzionamento statico

5 V, 10 V e 15 valutazioni parametriche di V

Simmetrico standardizzato ha prodotto le caratteristiche

Specificato da -40°C a °C +85 e da -40°C a +125°C

Aderisce a JEDEC JESD standard 13-B

3. Applicazioni

Wave e limatrici di impulso

Multivibratori Astable

Multivibratori Monostable

4. Informazioni di ordinazione

Informazioni che di ordinazione della tabella 1. tutti i tipi azionano a partire da -40°C a +125°C

5. Diagramma funzionale

6. Appuntare informazioni

6,1 appuntare

6,2 descrizione di Pin

Descrizione di Pin della tabella 2.

Simbolo Pin Descrizione

1A a 4A 1, 5, 8, 12 input

1B a 4B 2, 6, 9, 13 input

1Y a 4Y 3, 4, 10, 11 uscita

VDD 14 tensione di rifornimento

VSS 7 terra (0 V)

7. Descrizione funzionale

Tabella delle funzioni della tabella 3.

Input Uscita

Na N.B.: nY

L L H

L H H

H L H

H H L

8. Valori limite

Valori limite della tabella 4.

Conformemente al sistema di valutazione massimo assoluto (IEC 60134). Le tensioni sono fornite di rimandi a VSS = 0 V (terra).

Simbolo Parametro Circostanze Min Massimo Unità

VDD tensione di rifornimento -0,5 +18 V

IK input che preme corrente VI <> VDD + 0,5 V - ± 10 mA

VI tensione in ingresso -0,5 VDD + 0,5 V

IOK uscita che preme corrente VO <> VDD + 0,5 V - ±10 mA

II/O ingresso/uscita corrente - ±10 mA

IDD rifornimento corrente - 50 mA

Tstg temperatura di stoccaggio -65 +150 °C

Tamb temperatura ambiente -40 +125 °C

Ptot dissipazione di potere totale °C di Tamb= -40 a °C +125

DIP14 [1] - 750 Mw

SO14 [2] - 500 Mw

P dissipazione di potere per uscita - 100 Mw

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