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Chip di IC di memoria flash
Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI GRM0335C1E6R2DA01D |
6,2 condensatore ceramico C0G, NP0 0201 (0603 del PF ±0.5pF 25V metrici)
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Produttore
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MT47H32M16NF-187E: NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI H |
SDRAM - DDR2 la memoria IC 512Mbit parallelizza 533 megahertz 350 ps 84-FBGA (8x12.5)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI PZ28F032M29EWBA |
FLASH - NÉ memoria IC 32Mbit 60 paralleli NS 48-BGA (6x8)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI PZ28F032M29EWHA |
FLASH - NÉ memoria IC 32Mbit 60 paralleli NS 48-BGA (6x8)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI PZ28F064M29EWBA |
FLASH - NÉ memoria IC 64Mbit 60 paralleli NS 48-BGA (6x8)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI PZ28F064M29EWHA |
FLASH - NÉ memoria IC 64Mbit 60 paralleli NS 48-BGA (6x8)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI PZ28F064M29EWTA |
FLASH - NÉ memoria IC 64Mbit 60 paralleli NS 48-BGA (6x8)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F00AM29EWLA |
FLASH - NÉ memoria IC 1Gbit 100 paralleli NS 64-FBGA (11x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI PZ28F064M29EWLA |
FLASH - NÉ memoria IC 64Mbit 60 paralleli NS 48-BGA (6x8)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F00AM29EWHA |
FLASH - NÉ memoria IC 1Gbit 100 paralleli NS 64-FBGA (11x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F00BM29EWHA |
FLASH - NÉ memoria IC 2Gbit 100 paralleli NS 64-FBGA (11x13)
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Micron
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RC28F128J3F75B NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI TR |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Parallela 75 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F128M29EWHF |
FLASH - NÉ memoria IC 128Mbit 60 paralleli NS 64-FBGA (11x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F128P30BF65A |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Parallela 52 MHz 65 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micron
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F128P30TF65A |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Parallela 52 MHz 65 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F128P33TF60A |
FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit Parallela 52 MHz 60 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F256M29EWLA |
FLASH - NÉ memoria IC 256Mbit 100 paralleli NS 64-FBGA (11x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F256M29EWHA |
FLASH - NÉ memoria IC 256Mbit 100 paralleli NS 64-FBGA (11x13)
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Micron
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI RC28F320J3D75A |
FLASH - NÉ parallelo 75 NS 64-EasyBGA (10x13) di IC 32Mbit di memoria
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML08G201TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 8Gbit 48-TSOP parallelo I
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML08G101TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 8Gbit 48-TSOP parallelo I
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML04G200TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 4Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML04G200BHI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 4Gbit 63-BGA parallelo (11x9)
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML04G100TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 4Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML02G200TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML02G100BHI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 2Gbit 63-BGA parallelo (11x9)
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML01G200TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 1Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML02G100TFI00 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML01G100TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 1Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML02G200BHI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 2Gbit 63-BGA parallelo (11x9)
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S34ML02G100TFI000 |
ISTANTANEO - NAND Memory IC 2Gbit 48-TSOP parallelo
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S29JL032J70TFI320 |
FLASH - NOR Memoria IC 32 Mbit Parallela 70 ns 48-TSOP
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Infineon
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RC28F256P30TFF NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI TR |
FLASH - NOR Memoria IC 256Mbit Parallela 52 MHz 100 ns 64-EasyBGA (10x13)
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI W9725G6KB-25 |
SDRAM - DDR2 la memoria IC 256Mbit parallelizza 400 megahertz 57,5 il NS 84-WBGA (8x12.5)
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Produttore
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI W9751G6KB-25 |
SDRAM - DDR2 la memoria IC 512Mbit parallelizza 400 megahertz 57,5 il NS 84-WBGA (8x12.5)
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI W9812G6JH-6I |
La memoria IC 128Mbit di SDRAM parallelizza 166 megahertz 5 il NS 54-TSOP II
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI W9812G6KH-6 |
La memoria IC 128Mbit di SDRAM parallelizza 166 megahertz 5 il NS 54-TSOP II
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI W9825G6KH-6 |
La memoria IC 256Mbit di SDRAM parallelizza 166 megahertz 5 il NS 54-TSOP II
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Produttore
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ADUC842BSZ62-5 NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADUC812BSZ NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADUC7061BCPZ32 NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADT75BRMZ NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADT75ARZ NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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![]() |
ADT75ARMZ NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADT7310TRZ NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADT4-1T NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADT1-1WT+ NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADSP-TS201SYBPZ050 NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADSP-TS201SABPZ060 NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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ADSP-21065LKSZ-240 NUOVE ED AZIONE ORIGINALI del chip elettronico di IC |
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