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chip elettronici di CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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BCP56-16 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W A montaggio superficiale SOT-223
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Anbon Semi
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BCP56-16 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W A montaggio superficiale SOT-223
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STMicroelectronics
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BCP69 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Fairchild
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BCP69-16 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) 20 V 1 un supporto di superficie PG-SOT223-4 di 100MHz 3 W
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Infineon
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BCV46QTA STOCCO NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da
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DIODI
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BCV46-QR STOCCO NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA un supporto di superficie TO-236AB da 250 Mw
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Nexperia
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BCV46TA STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da
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DIODI
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BCV47,235 BORSO NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz un supporto di superficie TO-236AB da
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Nexperia
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BCV47,215 BORSO NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz un supporto di superficie TO-236AB da
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Nexperia
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BCV46,215 STOCCO NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 mA 220MHz un supporto di superficie TO-236AB da
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Nexperia
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BCV47TA STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da
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DIODI
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IRFP2907PBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 75 V 209A (TC) 470W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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IRFP4868PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Canale N 300 V 70 A (Tc) 517 W (Tc) Foro passante TO-247AC
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Infineon
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Transistor a effetto campo IRFP450LC NUOVO E ORIGINALE |
Canale N 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Foro passante TO-247AC
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VISHAY
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IRFP250MPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Canale N 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Foro passante TO-247AC
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Infineon
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IRFPE40PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 800 V 5.4A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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VISHAY
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IRG4BC40UPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 40 A 160 W Foro passante TO-220AB
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Infineon
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LH1525AABTR Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Stato solido SPST-NO (1 forma A) 6-SMD (0,300", 7.62mm)
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VISHAY
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IRFL014NTRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 1W (tum) SOT-223 di N-Manica 55 V 1.9A (tum)
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Infineon
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BC847BS Transistor a effetto campo nuovo e originale |
Il transistor bipolare (BJT) allinea 2 il supporto di superficie SC-88 (SC-70-6) di NPN 45V (doppio)
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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BC847BW Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Semiconduttore di Diotec
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BC847W,135 Induttore di montaggio di superficie Nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Semiconduttore nordico
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BC848B Transistor ad alta frequenza Nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC856B Transistor ad alta tensione Nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC856B Transistor di potenza Nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 150MHz un supporto di superficie SOT-23 da 350 Mw
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Semiconduttore Good-Ark
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BC856BW Power Transistor Nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Semiconduttore di Diotec
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BC856W-QX Induttore regolabile Nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Nexperia
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BC856S Induttore regolabile Nuovo e originale |
Il transistor bipolare (BJT) allinea 2 il supporto di superficie SOT-363 di PNP 65V (doppio) 100mA 1
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Semiconduttore di Diotec
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BC856W-QF STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Nexperia
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BC856W/ZL115 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT)
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Semiconduttore nordico
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BC857,215 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie TO-236AB da 250 Mw
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Nexperia
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BC857A STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC857BS STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Il transistor bipolare (BJT) allinea 2 il supporto di superficie SOT-363 di PNP 45V (doppio) 100mA 2
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Produttore
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BC857BW STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Semiconduttore di Diotec
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BC857C STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 150MHz un supporto di superficie SOT-23 da 350 Mw
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Semiconduttore Good-Ark
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BC857BW STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Semiconduttore di Diotec
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BC857C STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC857W,135 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Nexperia
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BC857W,115 NUEVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-323 da 200 Mw
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Nexperia
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BC858B STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC858B STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 250
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Infineon
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BCM857BS,115 NUOVO E ORIGINALE |
Il transistor bipolare (BJT) allinea 2 il supporto di superficie abbinato (doppio) 6-TSSOP di paia 4
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Nexperia
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BCM857BS-7-F STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Il transistor bipolare (BJT) allinea 2 il supporto di superficie SOT-363 di PNP 45V (doppio) 100mA 1
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DIODI
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BCP51 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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BCP52-16 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 50MHz 1,4 W
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Infineon
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IRFL110TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 100 V 1.5A (TC) 2W (tum), supporto SOT-223 della superficie 3.1W (TC)
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VISHAY
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IRFL024ZTRPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 1W (tum) SOT-223 di N-Manica 55 V 5.1A (tum)
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Infineon
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IRFL9014TRPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Canale P 60 V 1,8 A (Tc) 2 W (Ta), 3,1 W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
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VISHAY
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IRF5210STRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
P-Manica 100 V 38A (TC) 3.1W (tum), supporto D2PAK della superficie 170W (TC)
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Infineon
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IRF540NSTRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Canale N 100 V 33 A (Tc) 130 W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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Infineon
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