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chip elettronici di CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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Transistor a effetto campo BAV70W NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Catodo comune 75 V 300 mA A montaggio superficiale SC-70, SOT-323
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DIODI
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Transistor a effetto campo BAV70W NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia catodo comune 75 V 150 mA A montaggio superficiale SC-70, SOT-323
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Infineon
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Transistor a effetto campo BAV99 NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie a serie di diodi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del collegamento in serie 70 V 215
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Produttore
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BAV99S_R1_00001 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 2 coppie Connessione in serie 75 V 150 mA A montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SO
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Produttore
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BAV99S,135 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 2 coppie Connessione in serie 100 V 200 mA (CC) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88
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Nexperia
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BAV99S,115 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 2 coppie Connessione in serie 100 V 200 mA (CC) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88
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Nexperia
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Transistor a effetto campo BAV99W NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Collegamento in serie 75 V 150 mA A montaggio superficiale SC-70, SOT-323
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAW56 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
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Produttore
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BAW56 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Anodo comune 85 V 200 mA A montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Fairchild
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BAW56 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Anodo comune 70 V 200 mA Montaggio superficiale
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Produttore
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BAW56S,115 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 2 coppie Anodo comune 90 V 250 mA (CC) A montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
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Nexperia
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Transistor a effetto campo BAV99W NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Collegamento in serie 75 V 150 mA A montaggio superficiale SC-70, SOT-323
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Semiconduttore Good-Ark
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BAW56 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Serie di diodi 1 coppia Anodo comune 70 V 200 mA A montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semiconduttore Good-Ark
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Transistor a effetto campo BC807RAZ NUOVO E ORIGINALE |
Array di transistor bipolari (BJT) 2 PNP (doppio) 45 V 500 mA 80 MHz 350 mW Montaggio superficiale D
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Nexperia
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BC807-16 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-16 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 800 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 310
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Infineon
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BC807-16W Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW A montaggio superficiale SOT-323
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-25 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-25 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 800 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 310
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Infineon
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BC807-40 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
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Produttore
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BC807-40 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-40 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Semiconduttore Good-Ark
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BC817RAZ Transistor ad effetto campo nuovo e originale |
Array di transistor bipolari (BJT) 2 NPN (doppio) 45 V 500 mA 100 MHz 350 mW Montaggio superficiale
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Nexperia
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BC817-16 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC817-16W Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100 MHz 200 mW A montaggio superficiale SOT-323
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC817-25 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
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Produttore
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BC817-16 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 800 mA 100 MHz 310 mW A montaggio superficiale SOT23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC817-16W Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT)
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Infineon
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BC817-25 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC817-40 Transistor ad effetto campo NOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC846B Transistor a effetto campo nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da 350 Mw
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Semiconduttore Good-Ark
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BC846B Transistor a effetto campo nuovo e originale |
Transistor bipolare (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 200 Mw
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC846BPN,115 Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Il transistor bipolare (BJT) allinea NPN, il supporto di superficie 6-TSSOP di PNP 65V 100mA 100MHz
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Nexperia
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BCP53-10 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 120MHz 1,3 W
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Semiconduttore di Diotec
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BCP53-10 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 120MHz 1,3 W
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Semiconduttore di Diotec
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BCP53-16 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 120MHz 1,3 W
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Semiconduttore di Diotec
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BCP53-16 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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BCP54 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP54 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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IRFL4310TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Canale N 100 V 1,6 A (Ta) 1 W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
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Infineon
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IRFL024NTRPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 1W (tum) SOT-223 di N-Manica 55 V 2.8A (tum)
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Infineon
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BCP53 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1,2 A 1,5 W A montaggio superficiale SOT-223-4
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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IRF540NPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 100 V 33A (TC) 130W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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BK/GMT-7-1/2A Fuse Chip NUOVO E ORIGINALE |
7.5A 125 VCA un fusibile da 60 VCC che indica il fusibile richiede il supporto
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Produttore
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BCP54-16,135 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 1 un 180MHz un supporto di superficie SOT-223 da 960 Mw
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Nexperia
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BCP54-16,115 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 1 un 180MHz un supporto di superficie SOT-223 da 960 Mw
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Nexperia
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BCP55 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP55-10 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 60 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 100MHz 1,3 W
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Semiconduttore di Diotec
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BCP55-10 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 60 V 1 un supporto di superficie SOT-223 di 100MHz 1,3 W
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Semiconduttore di Diotec
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BCP55 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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