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chip elettronici di CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFR7440TRPBF NUOVE E |
Supporto PG-TO252-3 della superficie 140W (TC) di N-Manica 40 V 90A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFR210TRPBF NUOVE E |
N-Manica 200 V 2.6A (TC) 2.5W (tum), supporto D-Pak della superficie 25W (TC)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFR420ATRLPBF NUOVE E |
Supporto D-Pak della superficie 83W (TC) di N-Manica 500 V 3.3A (TC)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFR320TRPBF NUOVE E |
N-Manica 400 V 3.1A (TC) 2.5W (tum), supporto D-Pak della superficie 42W (TC)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-80CPQ020PBF NUOVE E |
Un catodo comune a serie di diodi 20 V 40A di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-80CPQ150PBF NUOVE E |
Un catodo comune a serie di diodi 150 V 40A di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLML2502TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 1.25W (tum) Micro3™/SOT-23 di N-Manica 20 V 4.2A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLML0060TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 1.25W (tum) Micro3™/SOT-23 di N-Manica 60 V 2.7A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLML6302TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 540mW (tum) Micro3™/SOT-23 di P-Manica 20 V 780mA (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLML0030TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 1.3W (tum) Micro3™/SOT-23 di N-Manica 30 V 5.3A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di V40150C-E3/4W NUOVE E |
Un catodo comune a serie di diodi 150 V 20A di 1 paio attraverso il foro TO-220-3
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo 6N137 NUOVE E |
Manica aperto 10kV/µs (tipo) CMTI 8-DIP del collettore 2500Vrms 1 del Optoisolator 10Mbps dell'uscit
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1010EPBF NUOVE E |
N-Manica 60 V 84A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1407PBF NUOVE E |
N-Manica 75 V 130A (TC) 330W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo IRF135S203 NUOVE E |
Supporto PG-TO263-3-2 della superficie 441W (TC) di N-Manica 135 V 129A (TC)
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404ZPBF NUOVE E |
N-Manica 40 V 180A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1324S-7P NUOVE E |
Supporto D2PAK (7-Lead) della superficie di N-Manica 24 V 240A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB4132PBF NUOVE E |
N-Manica 30 V 78A (TC) 140W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRL8113PBF NUOVE E |
N-Manica 30 V 105A (TC) 110W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di FMX-4202S NUOVE E |
Un catodo comune a serie di diodi 200 V 20A di 1 paio attraverso il pacchetto completo del foro TO-3
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRL3705ZPBF NUOVE E |
N-Manica 55 V 75A (TC) 130W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9540NPBF NUOVE E |
P-Manica 100 V 23A (TC) 140W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404STRLPBF NUOVE E |
N-Manica 40 V 162A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 200W (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9530NSTRLPBF NUOVE E |
P-Manica 100 V 14A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 79W (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9Z24NPBF NUOVE E |
P-Manica 55 V 12A (TC) 45W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9540NSTRLPBF NUOVE E |
P-Manica 100 V 23A (TC) 3.1W (tum), supporto D2PAK della superficie 110W (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9540PBF NUOVE E |
P-Manica 100 V 19A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9640STRLPBF NUOVE E |
P-Manica 200 V 11A (TC) 3W (tum), 125W (TC) ² PAK (TO-263) del supporto D della superficie
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9530NPBF NUOVE E |
P-Manica 100 V 14A (TC) 79W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo VS-ETH1506S-M3 NUOVE E |
Supporto di superficie TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 15A di D)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF9640PBF NUOVE E |
P-Manica 200 V 11A (TC) 125W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3808PBF NUOVE E |
N-Manica 75 V 140A (TC) 330W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3710STRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 200W (TC) di N-Manica 100 V 57A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3205ZPBF NUOVE E |
N-Manica 55 V 75A (TC) 170W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3710PBF NUOVE E |
N-Manica 100 V 57A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3205PBF NUOVE E |
N-Manica 55 V 110A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3205STRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 200W (TC) di N-Manica 55 V 110A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3710ZPBF NUOVE E |
N-Manica 100 V 59A (TC) 160W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF3808SPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 200W (TC) di N-Manica 75 V 106A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo SIR688DP-T1-GE3 NUOVE E |
N-Manica 60 V 60A (TC) 5.4W (tum), supporto PowerPAK® SO-8 della superficie 83W (TC)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo 2SB1184-Q-TP NUOVE E |
Transistor bipolare (BJT) PNP 50 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 70MHz 1 W
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di BYG10M-E3/TR NUOVE E |
Supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo 1000 V 1.5A
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF2805PBF NUOVE E |
N-Manica 55 V 75A (TC) 330W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF2804STRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 300W (TC) di N-Manica 40 V 75A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF2807PBF NUOVE E |
N-Manica 75 V 82A (TC) 230W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF2907ZPBF NUOVE E |
N-Manica 75 V 160A (TC) 300W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF2805STRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 200W (TC) di N-Manica 55 V 135A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF2804PBF NUOVE E |
N-Manica 40 V 75A (TC) 300W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di CYRF69103-40LTXC NUOVE E |
Generale DOTTRINA > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN di IC LA rf TxRx + di MCU ha esposto il cuscinetto
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS7530TRLPBF NUOVE E |
Supporto PG-TO263-2 della superficie 375W (TC) di N-Manica 60 V 195A (TC)
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Infineon
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