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chip elettronici di CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS4127TRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 375W (TC) di N-Manica 200 V 72A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS4321PBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 350W (TC) di N-Manica 150 V 85A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS4310ZTRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 250W (TC) di N-Manica 100 V 120A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS38N20DTRLP NUOVE E |
N-Manica 200 V 43A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 300W (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS3607TRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 140W (TC) di N-Manica 75 V 80A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS4227TRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 330W (TC) di N-Manica 200 V 62A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFS4115TRLPBF NUOVE E |
Supporto D2PAK della superficie 375W (TC) di N-Manica 150 V 195A (TC)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-TP |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un 50MHz un supporto di superficie SOT-89 da 500 Mw
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51,115 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX5116TA |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un supporto di superficie SOT-89-3 di 150MHz 1 W
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-16TF |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 A un supporto di superficie SOT-89 da 500 Mw
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-16,135 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX52-10-TP |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 un 50MHz un supporto di superficie SOT-89 da 500 Mw
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Micron
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX51-16,115 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX52-10TF |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 A un supporto di superficie SOT-89 da 500 Mw
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX5210TA |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 un supporto di superficie SOT-89-3 di 150MHz 1 W
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI BCX52-10,115 |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 1 un supporto di superficie SOT-89 di 145MHz 1,3 W
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo KBU8M-E4/51 NUOVE E |
Norma di monofase del raddrizzatore a ponte 1 chilovolt attraverso il foro KBU
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VISHAY
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CONTRO - 40 AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di 12 DI MATTINA 3 di TPS le NUOVE E |
SCR 1,2 chilovolt 55 un recupero standard attraverso il foro TO-247AC
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLL110TRPBF NUOVE E |
N-Manica 100 V 1.5A (TC) 2W (tum), supporto SOT-223 della superficie 3.1W (TC)
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRL2203NPBF NUOVE E |
N-Manica 30 V 116A (TC) 180W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo KSC2073 NUOVE E |
Transistor bipolare (BJT) NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W attraverso il foro TO-220-3
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7309TRPBF NUOVE E |
Il Mosfet allinea 30V 4A, supporto di superficie 8-SO di 3A 1.4W
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7205TRPBF NUOVE E |
Supporto 8-SO della superficie 2.5W (TC) di P-Manica 30 V 4.6A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7493TRPBF NUOVE E |
Supporto 8-SO della superficie 2.5W (TC) di N-Manica 80 V 9.3A (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7424TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di P-Manica 30 V 11A (tum)
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7416TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di P-Manica 30 V 10A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7504TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie Micro8™ di matrice 20V 1.7A 1.25W del Mosfet
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7301TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 8-SO di matrice 20V 5.2A 2W del Mosfet
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7240TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di P-Manica 40 V 10.5A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7317TRPBF NUOVE E |
Il Mosfet allinea 20V 6.6A, supporto di superficie 8-SO di 5.3A 2W
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7495TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di N-Manica 100 V 7.3A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7324TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 8-SO di matrice 20V 9A 2W del Mosfet
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7451TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di N-Manica 150 V 3.6A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7316TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 8-SO di matrice 30V 4.9A 2W del Mosfet
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo SFH615A-2 NUOVE E |
Il transistor del Optoisolator ha prodotto 5300Vrms 1 il Manica 4-DIP
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7105TRPBF NUOVE E |
Il Mosfet allinea 25V 3.5A, supporto di superficie 8-SO di 2.3A 2W
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7842TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di N-Manica 40 V 18A (tum)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo SI7615ADN-T1-GE3 NUOVE E |
P-Manica 20 V 35A (TC) 3.7W (tum), 52W (TC) supporto di superficie PowerPAK® 1212-8
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP264PBF NUOVE E |
N-Manica 250 V 38A (TC) 280W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP460LCPBF NUOVE E |
N-Manica 500 V 20A (TC) 280W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP064NPBF NUOVE E |
N-Manica 55 V 110A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP4568PBF NUOVE E |
N-Manica 150 V 171A (TC) 517W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP4368PBF NUOVE E |
N-Manica 75 V 195A (TC) 520W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFPG50PBF NUOVE E |
N-Manica 1000 V 6.1A (TC) 190W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP3206PBF NUOVE E |
N-Manica 60 V 120A (TC) 280W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP4710PBF NUOVE E |
N-Manica 100 V 72A (TC) 190W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP7430PBF NUOVE E |
N-Manica 40 V 195A (TC) 366W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP22N50APBF NUOVE E |
N-Manica 500 V 22A (TC) 277W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP064VPBF NUOVE E |
N-Manica 60 V 130A (TC) 250W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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