Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa>prodotti>

resistor equipped transistor

Filtri
Categorie
Filtri

Chip di IC di memoria flash

(2423)

Chip programmabile di IC

(148)

Il computer IC scheggia

(34)

Driver ICs del LED

(144)

Gestione CI di potere

(1000)

Chip a circuito integrato

(41211)

Unità microcontrollore MCU

(535)

Driver ICs dell'esposizione

(382)

Modulo di alimentazione IGBT

(153)

L'amplificatore IC scheggia

(358)

chip elettronici di CI

(3345)

Componenti elettronici

(279)
parole chiavi   [ resistor equipped transistor ]  Partita 38 prodotti.
PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 500mA 420mW Superficie montata 6-
Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW

Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW

Supporto di superficie SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW di rf
Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP

Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP

Transistor bipolare (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W attraverso il foro TO-220
Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz un supporto di superficie SOT-23
Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) TO-236AB di P-Manica 60 V 300mA (tum)
2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

Supporto di superficie 260mW (tum) SOT-323 di N-Manica 60 V 315mA (tum)
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 50MHz 1 W
Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP

Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP

Transistor bipolare (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W attraverso il foro MT-200
Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP Resistor Transistor dotato di 500 MA 50V Dual Gate Transistor
Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 500mA 420mW Superficie montata 6-
Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW

Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW
Supporto di superficie SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW di rf
Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V

Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP

Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP
Transistor bipolare (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W attraverso il foro TO-220
Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB

Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3
Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz un supporto di superficie SOT-23
Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP

Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP
Supporto di superficie 417mW (tum) TO-236AB di P-Manica 60 V 300mA (tum)
2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP

2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP
Supporto di superficie 260mW (tum) SOT-323 di N-Manica 60 V 315mA (tum)
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 3 un supporto di superficie D-Pak di 50MHz 1 W
Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP

Stato originale nuovissimo planare epitassiale del silicio SANKEN del transistor di 2SA1295 PNP
Transistor bipolare (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W attraverso il foro MT-200
1210 uso generale della resistenza RC1210FR-07150RL di SMD per la famiglia

1210 uso generale della resistenza RC1210FR-07150RL di SMD per la famiglia
150 Ohms ±1% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 1210 (3225 Metric) Moisture Resistant Thick Film
Resistenze/SMD LED 1206 200V - 500V di RC1206JR-0710RL SMD

Resistenze/SMD LED 1206 200V - 500V di RC1206JR-0710RL SMD
10 Ohms ±5% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant Thick Film
RC0603JR-0727RL Resistori SMD Codice 0402 Codice Smd ad alta tensione Diodo

RC0603JR-0727RL Resistori SMD Codice 0402 Codice Smd ad alta tensione Diodo
27 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0603 (1608 Metric) Moisture Resistant Thick Film
50 resistenza 1206, diodo RC1206FR-073K01L di ohm SMD di codice di SMD

50 resistenza 1206, diodo RC1206FR-073K01L di ohm SMD di codice di SMD
3.01 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant Thick Film
Diodo PER TUTTI GLI USI di codice di Smd di codice della resistenza dello smd delle RESISTENZE del CHIP di RC1206JR-07100RL

Diodo PER TUTTI GLI USI di codice di Smd di codice della resistenza dello smd delle RESISTENZE del CHIP di RC1206JR-07100RL
100 Ohms ±5% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant Thick Film
Resistenze/SMD LED 1206 200V - 500V di RC1206JR-071KL SMD

Resistenze/SMD LED 1206 200V - 500V di RC1206JR-071KL SMD
1 kOhms ±5% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Moisture Resistant Thick Film
Ricerca SMD 4X1K 5% di Chip Resistors REDE di matrice di YC164-JR-071KL SMD0603

Ricerca SMD 4X1K 5% di Chip Resistors REDE di matrice di YC164-JR-071KL SMD0603
1k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1206 (3216 Metric), Convex, Long Side T
Ricerca SMD 4X1K 5% di Chip Resistors REDE di matrice di YC164-JR-073K3L SMD0603

Ricerca SMD 4X1K 5% di Chip Resistors REDE di matrice di YC164-JR-073K3L SMD0603
3.3k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1206 (3216 Metric), Convex, Long Side
Diodo RC0402 di codice di SMD

Diodo RC0402 di codice di SMD
0 Ohms Jumper Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
Chip programmabile di IC del transistor di LM2931CDR2G, elettronica istantanea di IC del chip del circuito integrato

Chip programmabile di IC del transistor di LM2931CDR2G, elettronica istantanea di IC del chip del circuito integrato
Uscita regolabile positiva 100mA 8-SOIC di IC del regolatore di tensione lineare 1
regolatore di tensione basso LP2950ACDT-3.3RG di interruzione procedura di potere basso di 100 mA

regolatore di tensione basso LP2950ACDT-3.3RG di interruzione procedura di potere basso di 100 mA
Regolatore di tensione lineare IC positivo fisso 1 uscita 100mA DPAK
Regolatore scendere SPM6530 che comprende il CC-CC di IC Synchronous del regolatore ed il MOSFET di potere

Regolatore scendere SPM6530 che comprende il CC-CC di IC Synchronous del regolatore ed il MOSFET di potere
Amplificatore CI 1.8V - 6.0V di precisione SMD di CMOS MCP6072T-E-SN

Amplificatore CI 1.8V - 6.0V di precisione SMD di CMOS MCP6072T-E-SN
CIRCUITO 8SOIC DEL GP 2 DI IC OPAMP
REGOLATORI POSITIVI lineari dei regolatori di tensione 3-TERMINAL di IC del regolatore di potere di LM78L05ACMX/NOPB

REGOLATORI POSITIVI lineari dei regolatori di tensione 3-TERMINAL di IC del regolatore di potere di LM78L05ACMX/NOPB
Il positivo lineare di IC del regolatore di tensione ha riparato 1 uscita 100mA 8-SOIC
LM78L15ACM Circuito Integrato Chip 3 Regolatori Positivi Terminali integrati Chip IC

LM78L15ACM Circuito Integrato Chip 3 Regolatori Positivi Terminali integrati Chip IC
Il positivo lineare di IC del regolatore di tensione ha riparato 1 uscita 100mA 8-SOIC
LM78L05ACM Diodo raddrizzatore a ponte per regolatori positivi a 3 terminali

LM78L05ACM Diodo raddrizzatore a ponte per regolatori positivi a 3 terminali
Il positivo lineare di IC del regolatore di tensione ha riparato 1 uscita 100mA 8-SOIC
CPC1017NTR INZUPPANO 4 cavo normalmente aperto di Palo del supporto del PWB dei relè di stato solido il singolo 4

CPC1017NTR INZUPPANO 4 cavo normalmente aperto di Palo del supporto del PWB dei relè di stato solido il singolo 4
Stato solido SPST-NO (1 forma A) 4-SOP (0,150", 3.81mm)
Temporizzatore in tempo reale IC RTC di DS1340Z-33 +T & della R con il caricatore del gocciolamento

Temporizzatore in tempo reale IC RTC di DS1340Z-33 +T & della R con il caricatore del gocciolamento
Orologio/calendario di IC del temporizzatore in tempo reale (RTC) io ² C, 8-SOIC di serie a due fili
CC-CC monolitico delle centrali elettriche di MP2122GJ-Z SOT23-8 2A 0.6V

CC-CC monolitico delle centrali elettriche di MP2122GJ-Z SOT23-8 2A 0.6V
Uscita regolabile 0.608V 2 2A SOT-23-8 sottile, TSOT-23-8 del positivo di Buck Switching Regulator I
Regolatore 1.5MHz 600mA di commutazione di potenza di CC di CC di SOT23-5 NCP1521BSNT1G

Regolatore 1.5MHz 600mA di commutazione di potenza di CC di CC di SOT23-5 NCP1521BSNT1G
Regolatori di tensione di commutazione 6V 2A di MP2122GJ SOT23-8

Regolatori di tensione di commutazione 6V 2A di MP2122GJ SOT23-8
Regolatore 800mA 3.3V della toppa SPX1117M3 SOT-223 LDO TR

Regolatore 800mA 3.3V della toppa SPX1117M3 SOT-223 LDO TR
Bit del braccio 32 del circuito integrato LQFP64 STM32F401RCT6 del microcontroller della corteccia M4 di MCU

Bit del braccio 32 del circuito integrato LQFP64 STM32F401RCT6 del microcontroller della corteccia M4 di MCU
Microcontroller istantaneo pungente MCU LQFP64 STM32F030R8T6TR del BRACCIO 32 64KB

Microcontroller istantaneo pungente MCU LQFP64 STM32F030R8T6TR del BRACCIO 32 64KB
Il Unico centro 48MHz 64KB (64K x 8) 64-LQFP ISTANTANEO (10x10) di 32 bit di IC del microcontroller
LM75CIM3 campo di potenza del sensore di temperatura del supporto del bordo di CONTENTINO 8 CI 2.8V-5.5V

LM75CIM3 campo di potenza del sensore di temperatura del supporto del bordo di CONTENTINO 8 CI 2.8V-5.5V
Sensore di temperatura Digital, locale -55°C ~ 125°C 9 b 8-SOIC
Distribuzione di energia di IC del commutatore di Ethernet di TPS22913BYZVR ULTRA-SM, RON BASSO, COMMUTATORE del CARICO di 2A SGL CH

Distribuzione di energia di IC del commutatore di Ethernet di TPS22913BYZVR ULTRA-SM, RON BASSO, COMMUTATORE del CARICO di 2A SGL CH
P-Manica 2A 4-DSBGA (0.88x0.88) di 1:1 dell'interruttore di accensione/driver
Gestione IC NCV551SN33 di potere di CMOS 150mA del regolatore di tensione

Gestione IC NCV551SN33 di potere di CMOS 150mA del regolatore di tensione
Il positivo lineare di IC del regolatore di tensione ha riparato 1 uscita 150mA 5-TSOP
Chip a circuito integrato L293B PUSH PULL DRIVER A QUATTRO CANALI

Chip a circuito integrato L293B PUSH PULL DRIVER A QUATTRO CANALI
Driver bipolare Parallel 16-DIP del motore
1
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.