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chip elettronici di CI
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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Transistor del silicio di media potenza 0.5A 300V 20W NPN di MJE340G |
Transistor bipolare (BJT) NPN 300 V 500 mA 20 W attraverso il foro TO-126
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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Mosfet IRFP260MPBF di potere di Manica dell'ossido di metallo di 200V 50A TO247 N |
N-Manica 200 V 50A (TC) 300W (TC) attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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Il silicio 1.5A di plastica SOT-23 NPN di MMSS8050-H-TP incapsula il transistor |
Transistor bipolare (BJT) NPN 25 V 1,5 un 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 625 Mw
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Produttore
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BEONE di superficie 23 del supporto dei transistor 140MHz 625mW di FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3 |
Transistor bipolare (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz un supporto di superficie SOT-23
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DIODI
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Transistor di potenza di BFS505,115 15V rf, transistor di superficie del supporto di 18mA 9GHz 150mW |
Supporto di superficie SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW di rf
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NXP
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Transistor 60V 10A 50W di D45H8 NPN PNP attraverso il foro al rendimento elevato 220AB |
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W attraverso il foro TO-220
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STMicroelectronics
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Raggruppamento corrente bipolare di potere 65W HFE dei transistor 100V 6A di TIP42C NPN PNP |
Transistor bipolare (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W attraverso il foro TO-220
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STMicroelectronics
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Tipo per tutti gli usi singola configurazione del transistor NPN di CC 0.15A di 2SD2227STPW 50V |
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 Mw attraverso il foro SPT
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Produttore
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Supporto di superficie 417mW (tum) di Manica 60V 300mA (tum) dei transistor P di BSH201,215 NPN PNP |
Supporto di superficie 417mW (tum) TO-236AB di P-Manica 60 V 300mA (tum)
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Produttore
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2N7002PW Manica di superficie 60V 310mA (tum) 260mW dei transistor N del supporto NPN PNP |
Supporto di superficie 260mW (tum) SOT-323 di N-Manica 60 V 315mA (tum)
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Produttore
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Soppressori transitori SMAJ5.0A-E3/61 di tensione di SMA DO-214AC Transzorb |
9.2V supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo del morsetto 43.5A Ipp TV
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VISHAY
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Diodo transitorio DO-224A del soppressore TV di tensione del supporto di superficie di SMBJ400A |
648V supporto di superficie SMB (DO-214AA) del diodo del morsetto 900mA Ipp TV
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Produttore
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Manica basso SOT143 di matrice 2 di protezione di capacità ESD di TPD2E001DZDR |
Supporto di superficie 4-SOP del diodo di Ipp TV del morsetto
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Texas Instruments
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Supporto di superficie del soppressore transitorio di tensione di SM6T15CAY TV |
27.2V supporto di superficie SMB (DO-214AA) del diodo del morsetto 147A (8/20µs) Ipp TV
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STMicroelectronics
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Diodo di raddrizzatore della barriera di SD24145C Schottky 30A 0.7V TO204AA |
Diodo 45 V 30A attraverso il foro TO-204AA (TO-3)
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Microchip
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Diodi Zener planari del silicio 0.5W di ZMM36 36V LL34 1206 |
Supporto di superficie SOD-80C del diodo Zener 36 V 500 Mw ±5%
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Produttore
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diodo transitorio SMBJ36CA-E3/52 del soppressore di tensione di 600W SMB |
58.1V supporto di superficie DO-214AA (SMBJ) del diodo del morsetto 10.3A Ipp TV
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VISHAY
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diodo Zener di superficie BZT52C2V0-7-F del supporto di 2V 10mA SOD-123 |
Supporto di superficie SOD-123 del diodo Zener 2 V 500 Mw ±5%
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DIODI
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Dispositivo di protezione di Manica SOT23-6 500mW ESD del quadrato TPD4E1U06 |
15V (tipo) supporto di superficie SOT-23-6 del diodo del morsetto 3A (8/20µs) Ipp TV
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Texas Instruments
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“Fusibile Resettable polimerico per tutti gli usi del diodo di raddrizzatore ptc |
Fusibile Resettable polimerico 24V 1,1 del ptc un supporto di superficie 1812 (4532 di Ih metrici),
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Produttore
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Raddrizzatori ultraveloci di potere del supporto di superficie di IC della gestione di potere di MURS260T3G |
Supporto di superficie SMB del diodo 600 V 2A
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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Eliminazione del ciclo al suolo di IC Chip Logic Gate Optocouplers For del computer di HCPL0600R2 10bps |
Manica aperto 5kV/µs CMTI 8-SOIC del collettore 3750Vrms 1 del Optoisolator 10Mbps dell'uscita di lo
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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Componente elettronico originale di YC164-JR-0722RL SMD durante la durata della vita lunga del foro |
22 il potere di ohm ±5% 62.5mW per elemento ha isolato 4 rete di resistenza/matrici ±200ppm/°C 1206
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Produttore
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diodo MM3Z18VT1G dei regolatori di tensione di 200mW 18V SOD−323 Zener |
Supporto di superficie SOD-323 del diodo Zener 18 V 300 Mw ±6%
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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Manica 10kV/µS di palo di totem del chip 25MBd del circuito integrato di ACPL-072L-000E 3750Vrms 1 |
Optoisolator 25MBd in opposizione, Manica 10kV/µs CMTI 8-SO dell'uscita di logica di palo di totem 3
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Produttore
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La logica 74OL6011 ha prodotto il collettore aperto dell'opto dell'isolatore accoppiatore ottico ad alta velocità di IC 15MBd |
Il collettore aperto del Optoisolator 15MBd dell'uscita di logica, Schottky ha premuto 5300Vrms 1 il
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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Circuito integrato Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP di 74OL6010 5300Vrms |
Il collettore aperto del Optoisolator 15MBd dell'uscita di logica, Schottky ha premuto 5300Vrms 1 il
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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Lettore di Monitoring 13.56MHz IC Rfid del lettore di MFRC52201HN1,157 IC Smart Card |
Iso 14443, ² C, SPI, UART 2.5V di IC 13.56MHz del lettore di RFID di MIFARE I ~ 3.3V 32-VFQFN ha esp
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NXP
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Circuito integrato Chip With di DBLS207G SMD 1000V 2A SOP4 una garanzia da 365 giorni |
Norma di monofase del raddrizzatore a ponte un supporto di superficie DBLS da 1 chilovolt
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Produttore
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Modulo ultrasonico del sensore HC-SR04 con alta precisione |
Sensore ultrasonico 40kHz
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Produttore
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Bordo corrente 50AB Hall Current Sensor Module del sensore di LLCTR ACS724 |
SENSORE CORRIDOIO CORRENTE 5A 8SOIC
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Produttore
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Gamma corrente ACS712-05B Hall Effect Current Sensor del modulo 5A 20A 30A del sensore ACS712 |
SENSORE CORRIDOIO CORRENTE 20A AC/DC
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Produttore
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Componenti elettronici NRF52832-QFAA-T di Pin QFN IC di BT V5.0 2Mbps 3V 48 |
IC rf TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN ha esposto il cuscinetto
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Produttore
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-40TPS12APBF |
SCR 1,2 chilovolt 55 un recupero standard attraverso il foro TO-247AC
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VISHAY
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FOD2742B IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
Il transistor del Optoisolator ha prodotto 2500Vrms 1 il Manica 8-SOIC
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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CC2420RGZT Memoria flash IC NUOVA E ORIGINALE |
IC rf TxRx soltanto 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN ha esposto il cuscinetto
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Texas Instruments
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CC2541F256RHAR Memoria flash IC NUOVA E ORIGINALE |
IC rf TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 40-VFQFN ha esposto il cuscinetto
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Texas Instruments
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IC di memoria flash EM250-RTR NUOVO E ORIGINALE |
IC rf TxRx + MCU 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN ha esposto il cuscinetto
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Produttore
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GRM1555C1H3R0CA01D condensatore MLCC nuovo e originale |
3 condensatore ceramico C0G, NP0 0402 (1005 del PF ±0.25pF 50V metrici)
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Muratta
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GRM1555C1H4R0CA01D condensatore MLCC NUOVO E ORIGINALE |
4 condensatore ceramico C0G, NP0 0402 (1005 del PF ±0.25pF 50V metrici)
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Muratta
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GRM1555C1H4R0BA01D condensatore MLCC NUOVO E ORIGINALE |
4 pF ± 0,1 pF Condensatore ceramico 50V C0G, NP0 0402 (1005 metrici)
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Muratta
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GRM1555C1H471JA01D condensatore MLCC NUOVO E ORIGINALE |
470 pF ± 5% 50V condensatore ceramico C0G, NP0 0402 (1005 metrici)
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Muratta
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GRM155R60J225KE95D MLCC condensatore nuovo e originale |
2.2 μF ± 10% 6,3 V condensatore ceramico X5R 0402 (1005 Metric)
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Muratta
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GRM033R71A152MA01D STOCK NUOVO E ORIGINALE |
CONDENSATORE CERAMICO
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Muratta
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GCM188R72A104KA64D STOCK NUOVO E ORIGINALE |
0.1 μF ±10% Capacitore ceramico da 100 V X7R 0603 (1608 Metric)
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Muratta
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GRM033R71A152KA01D STOCK NUOVO E ORIGINALE |
1500 pF ±10% 10V condensatore ceramico X7R 0201 (0603 metrici)
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Muratta
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GRM155R60J106ME44D MLCC condensatore nuovo e originale |
10 condensatore ceramico del µF ±20% 6.3V X5R 0402 (1005 metrici)
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Muratta
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GCM188R72A103KA37D STOCK NUOVO E ORIGINALE |
10000 pF ±10% 100V condensatore ceramico X7R 0603 (1608 metri)
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Muratta
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GRM033R71E151KA01D STOCK NUOVO E ORIGINALE |
150 condensatore ceramico del PF ±10% 25V X7R 0201 (0603 metrici)
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Produttore
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GRM155R60J105KE19D MLCC condensatore nuovo e originale |
1 condensatore ceramico 6.3V X5R 0402 (1005 del µF ±10% metrici)
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Muratta
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