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Componenti elettronici
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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IRG4IBC20UDPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V A 11,4 34 W attraverso il foro TO-220AB Interamente Pak
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Infineon
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IRLML2502TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 1.25W (tum) Micro3™/SOT-23 di N-Manica 20 V 4.2A (tum)
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Infineon
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Transistor ad effetto campo VS-ETH1506S-M3 NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 15A di D)
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VISHAY
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IRG4PC50UDPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 55 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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IRG4PF50WPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 900 V 51 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Infineon
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IRF3710STRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 200W (TC) di N-Manica 100 V 57A (TC)
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Infineon
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IRLML0060TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 1.25W (tum) Micro3™/SOT-23 di N-Manica 60 V 2.7A (tum)
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Infineon
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IRG4PC50KDPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
IGBT 600 V 52 A 200 W attraverso il foro TO-247AC
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Produttore
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IRF640PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-canale 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) attraverso foro TO-220AB
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VISHAY
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CDSOT23-SM712 Ic Chip Programming Circuit Board RS-485 Protezione delle porte |
26V, 14V pinza 17A (8/20μs) Ipp Tvs Diodo di superficie di montaggio SOT-23-3
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RUSCELLI
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TIL117M Componenti elettronici circuito integrato chip programma memoria |
Transistor optoisolatore con uscita di base 7500Vpk 1 canale 6-DIP
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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BT1cultura, cultura e cultura |
SCR 500 V 4 Una porta sensibile attraverso il foro TO-220AB
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fatto in porcellana
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA25TB60PBF |
Diodo 600 V 25A attraverso il foro TO-220AC
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VISHAY
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PDTC144ET diodo a chip nuovo e originale |
Transistor bipolare pre-biasato (BJT)
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VISHAY
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IRFS4115TRLPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 375W (TC) di N-Manica 150 V 195A (TC)
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Infineon
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V40150C-E3/4W Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Un catodo comune a serie di diodi 150 V 20A di 1 paio attraverso il foro TO-220-3
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VISHAY
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IRLML0030TRPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie 1.3W (tum) Micro3™/SOT-23 di N-Manica 30 V 5.3A (tum)
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Infineon
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2N7002BKS,115 MAGAZZINO NUOVO ED ORIGINALE |
Il Mosfet allinea il supporto 6-TSSOP della superficie 295mW di 60V 300mA (tum)
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Nexperia
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF830BPBF |
N-Manica 500 V 5.3A (TC) 104W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI S3D-E3/57T |
Supporto di superficie DO-214AB (SMC) del diodo 200 V 3A
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SI3456DDV-T1-GE3 |
N-Manica 30 V 6.3A (TC) 1.7W (tum), supporto 6-TSOP della superficie 2.7W (TC)
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SUP85N03-04P-E3 |
N-Manica 30 V 85A (TC) 3.75W (tum), 166W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF8736TRPBF |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di N-Manica 30 V 18A (tum)
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Infineon
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BAS516 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie SOD-523 del diodo 75 V 250mA
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Semiconduttore Good-Ark
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SIR688DP-T1-GE3 Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 60 V 60A (TC) 5.4W (tum), supporto PowerPAK® SO-8 della superficie 83W (TC)
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VISHAY
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IRF3205ZPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 55 V 75A (TC) 170W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF3205PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 55 V 110A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF3710ZPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 100 V 59A (TC) 160W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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BYG10M-E3/TR Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo 1000 V 1.5A
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VISHAY
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IRF2807PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 75 V 82A (TC) 230W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRF2804STRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 300W (TC) di N-Manica 40 V 75A (TC)
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Infineon
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IRF2805STRLPBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 200W (TC) di N-Manica 55 V 135A (TC)
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Infineon
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IRF2804PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 40 V 75A (TC) 300W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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IRFS4310ZTRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 250W (TC) di N-Manica 100 V 120A (TC)
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Infineon
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IRFS7530TRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto PG-TO263-2 della superficie 375W (TC) di N-Manica 60 V 195A (TC)
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Infineon
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IRFS4127TRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 375W (TC) di N-Manica 200 V 72A (TC)
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Infineon
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IRFS38N20DTRLP Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
N-Manica 200 V 43A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 300W (TC)
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Infineon
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IRFS3607TRLPBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Supporto D2PAK della superficie 140W (TC) di N-Manica 75 V 80A (TC)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI DMG3415U-7 |
Supporto di superficie 900mW (tum) SOT-23-3 di P-Manica 20 V 4A (tum)
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DIODI
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SMAJ48A-E3/61 |
77.4V supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo del morsetto 5.2A Ipp TV
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI P6SMB24A-E3/52 |
33,2V Morsetto 18,1A Ipp Tvs Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMB)
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VISHAY
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VS-EPH3006-F3 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Diodo 600 V 30A Foro passante TO-247AC Modificato
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 43CTQ100 |
Schiera di diodi 1 coppia Catodo comune 100 V 20A Foro passante TO-220-3
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFH5215TRPBF |
Canale N 150 V 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 W (Ta), 104 W (Tc) Montaggio superficiale PQFN (5x6)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFHM830TRPBF |
Canale N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 W (Ta), 37 W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN-doppio (3,3
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7301TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 8-SO di matrice 20V 5.2A 2W del Mosfet
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7451TRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di N-Manica 150 V 3.6A (tum)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFH5015TRPBF |
Canale N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFH4253DTRPBF |
Mosfet Array 25V 64A, 145A 31W, 50W Montaggio superficiale PQFN (5x6)
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Infineon
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-30CPQ100PBF |
Schiera di diodi 1 coppia Catodo comune 100 V 15A Foro passante TO-247-3
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VISHAY
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