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Componenti elettronici

Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
VS-85CNQ015APBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE

VS-85CNQ015APBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE

Supporto comune a serie di diodi D-61-8 del telaio del catodo 15 V 40A di 1 paio
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-HFA16PA60CPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-HFA16PA60CPBF NUOVE E

Un catodo comune a serie di diodi 600 V 8A (CC) di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo HFA08PB60 NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo HFA08PB60 NUOVE E

Il diodo 600 V 8A attraverso il foro TO-247AC ha modificato
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU220NPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU220NPBF

N-Manica 200 V 5A (TC) 43W (TC) attraverso il foro IPAK (TO-251AA)
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404LPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404LPBF NUOVE E

N-Manica 40 V 162A (TC) 3.8W (tum), 200W (TC) attraverso il foro TO-262
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU3910PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU3910PBF

N-Manica 100 V 16A (TC) 79W (TC) attraverso il foro IPAK (TO-251AA)
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU9024NPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU9024NPBF

P-Manica 55 V 11A (TC) 38W (TC) attraverso il foro IPAK (TO-251AA)
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-HFA08SD60STRPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-HFA08SD60STRPBF NUOVE E

Supporto di superficie D-PAK (TO-252AA) del diodo 600 V 8A
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo 80CNQ045ASM NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo 80CNQ045ASM NUOVE E

Un catodo comune a serie di diodi 45 V 40A di 1 paio attraverso il foro D-61-8-SM
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1018EPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1018EPBF NUOVE E

N-Manica 60 V 79A (TC) 110W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo IRF100B201 NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo IRF100B201 NUOVE E

N-Manica 100 V 192A (TC) 441W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1405PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1405PBF NUOVE E

N-Manica 55 V 169A (TC) 330W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1407STRLPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1407STRLPBF NUOVE E

N-Manica 75 V 100A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 200W (TC)
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1312PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1312PBF NUOVE E

N-Manica 80 V 95A (TC) 3.8W (tum), 210W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404ZSTRLPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404ZSTRLPBF NUOVE E

Supporto PG-TO263-3 della superficie 200W (TC) di N-Manica 40 V 180A (TC)
Infineon
IRLB3034PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

IRLB3034PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

Canale N 40 V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Foro passante TO-220AB
Produttore
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB3036PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB3036PBF NUOVE E

N-Manica 60 V 195A (TC) 380W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB3813PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB3813PBF NUOVE E

N-Manica 30 V 260A (TC) 230W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFD120PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFD120PBF NUOVE E

N-Manica 100 V 1.3A (tum) 1.3W (tum) attraverso il foro 4-HVMDIP
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR3709ZTRPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR3709ZTRPBF

Supporto D-Pak della superficie 79W (TC) di N-Manica 30 V 86A (TC)
Infineon
Rettificatore sincrono di circuito di diodi ad alta tolleranza ESD PTZTE2518B Tipo di muffa di piccola potenza

Rettificatore sincrono di circuito di diodi ad alta tolleranza ESD PTZTE2518B Tipo di muffa di piccola potenza

Supporto di superficie PMDS del diodo Zener 18 V 1 W ±6%
Semiconduttore Rohm
2SC2712-GR,LF Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE

2SC2712-GR,LF Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE

Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz un supporto di superficie da 150 Mw S-mini
TOSHIBA
2SC2712-Y,LF memoria flash IC NUOVO E ORIGINALE

2SC2712-Y,LF memoria flash IC NUOVO E ORIGINALE

Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz un supporto di superficie da 150 Mw S-mini
TOSHIBA
TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE

TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE

Transistor bipolare (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W attraverso il foro TO-220
Semi ON / Semi Catalizzatore
TIP31C STOCK NUOVO E ORIGINALE

TIP31C STOCK NUOVO E ORIGINALE

Bipolare (BJT) transistor NPN 100 V 3 A 2 W attraverso foro TO-220
STMicroelectronics
8ETH06 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE

8ETH06 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE

Diodo 600 V 8A Foro passante TO-220AC
VISHAY
BCM846SH6327XTSA1 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE

BCM846SH6327XTSA1 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE

Array di transistor bipolari (BJT) 2 NPN (doppio) 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW A montaggio superficial
Infineon
GRM033R71A122KA01D STOCK NUOVO E ORIGINALE

GRM033R71A122KA01D STOCK NUOVO E ORIGINALE

1200 condensatore ceramico del PF ±10% 16V X7R 0201 (0603 metrici)
Muratta
GRM155R61C105KA12D condensatore ad alta temperatura nuovo e originale

GRM155R61C105KA12D condensatore ad alta temperatura nuovo e originale

Condensatore ceramico 1 µF ±10% 16 V X5R 0402 (1005 metrico)
Muratta
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