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Componenti elettronici

Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-30CPH03PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-30CPH03PBF

Schiera di diodi 1 coppia Catodo comune 300 V 15A Foro passante TO-247-3
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF4905STRLPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF4905STRLPBF

Supporto D2PAK della superficie 170W (TC) di P-Manica 55 V 42A (TC)
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7316TRPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7316TRPBF NUOVE E

Supporto di superficie 8-SO di matrice 30V 4.9A 2W del Mosfet
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7842TRPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7842TRPBF NUOVE E

Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SO di N-Manica 40 V 18A (tum)
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7105TRPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF7105TRPBF NUOVE E

Il Mosfet allinea 25V 3.5A, supporto di superficie 8-SO di 2.3A 2W
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo SI7615ADN-T1-GE3 NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo SI7615ADN-T1-GE3 NUOVE E

P-Manica 20 V 35A (TC) 3.7W (tum), 52W (TC) supporto di superficie PowerPAK® 1212-8
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP264PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP264PBF NUOVE E

N-Manica 250 V 38A (TC) 280W (TC) attraverso il foro TO-247AC
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP460LCPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP460LCPBF NUOVE E

N-Manica 500 V 20A (TC) 280W (TC) attraverso il foro TO-247AC
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFPG50PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFPG50PBF NUOVE E

N-Manica 1000 V 6.1A (TC) 190W (TC) attraverso il foro TO-247AC
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP3206PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP3206PBF NUOVE E

N-Manica 60 V 120A (TC) 280W (TC) attraverso il foro TO-247AC
Infineon
IRFP4710PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

IRFP4710PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

N-Manica 100 V 72A (TC) 190W (TC) attraverso il foro TO-247AC
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP7430PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP7430PBF NUOVE E

N-Manica 40 V 195A (TC) 366W (TC) attraverso il foro TO-247AC
Infineon
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP22N50APBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP22N50APBF NUOVE E

N-Manica 500 V 22A (TC) 277W (TC) attraverso il foro TO-247AC
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP064VPBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFP064VPBF NUOVE E

N-Manica 60 V 130A (TC) 250W (TC) attraverso il foro TO-247AC
Infineon
BTA06-600BWRG STOCK NUOVO E ORIGINALE

BTA06-600BWRG STOCK NUOVO E ORIGINALE

TRIAC Alternistor - senza snubber 600 V 6 A attraverso foro TO-220
STMicroelectronics
BTA06-600CWRG STOCK NUOVO E ORIGINALE

BTA06-600CWRG STOCK NUOVO E ORIGINALE

TRIAC Alternistor - senza snubber 600 V 6 A attraverso foro TO-220
STMicroelectronics
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF840STRLPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRF840STRLPBF

N-Manica 500 V 8A (TC) 3.1W (tum), 125W (TC) ² PAK (TO-263) del supporto D della superficie
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-ETX0806FP-M3

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-ETX0806FP-M3

Diodo 600 V 8A attraverso il pacchetto completo del foro TO-220-2
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-ETU1506FP-M3

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-ETU1506FP-M3

Diodo 600 V 15A attraverso il pacchetto completo del foro TO-220-2
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFH8318TRPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFH8318TRPBF

N-Manica 30 V 27A (tum), 120A (TC) 3.6W (tum), 59W (TC) supporto PQFN (5x6) della superficie
Infineon
Diodo raddrizzatore di tipo ponte SMD Avalanche ultraveloce, BYG20J-E3/TR

Diodo raddrizzatore di tipo ponte SMD Avalanche ultraveloce, BYG20J-E3/TR

Supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo 600 V 1.5A
VISHAY
TLP621-2 Memoria di programma di chip di circuito integrato a chip IC

TLP621-2 Memoria di programma di chip di circuito integrato a chip IC

Il transistor del Optoisolator ha prodotto 5300Vrms 2 il Manica 8-DIP
Produttore
Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere

Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere

Diodo 1000 V 1A attraverso il foro DO-41
Semi ON / Semi Catalizzatore
Diodi di Zener in vetro di silicio passivato da 1,0 Watt Diodi di Zener in vetro di giunzione passivata Diodo di Zener in silicio 1n4733A

Diodi di Zener in vetro di silicio passivato da 1,0 Watt Diodi di Zener in vetro di giunzione passivata Diodo di Zener in silicio 1n4733A

Diodo Zener 5,1 V 1 W ±5% attraverso il foro DO-41
Semi ON / Semi Catalizzatore
NDT456P Direttore diodo P-Channel Enhancement Mode Transistor a effetto campo

NDT456P Direttore diodo P-Channel Enhancement Mode Transistor a effetto campo

P-canale 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Montatura di superficie SOT-223-4
Semi ON / Semi Catalizzatore
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SFH628A-3X001

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SFH628A-3X001

Il transistor del Optoisolator ha prodotto 5300Vrms 1 il Manica 4-DIP
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SFH615A-2

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SFH615A-2

Il transistor del Optoisolator ha prodotto 5300Vrms 1 il Manica 4-DIP
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-12CWQ10FNTR-M3

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-12CWQ10FNTR-M3

Schiera di diodi 1 coppia catodo comune 100 V 6A A montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 condutto
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SIHP18N50C-E3

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SIHP18N50C-E3

N-Manica 500 V 18A (TC) 223W (TC) attraverso il foro TO-220AB
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SIHP12N50C-E3

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SIHP12N50C-E3

N-Manica 500 V 12A (TC) 208W (TC) attraverso il foro
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFD110PBF NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFD110PBF NUOVE E

N-Manica 100 V 1A (tum) 1.3W (tum) attraverso il foro 4-HVMDIP
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SFH615A-2

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SFH615A-2

Il transistor del Optoisolator ha prodotto 5300Vrms 1 il Manica 4-DIP
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI GBU608

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI GBU608

Norma 800 V di monofase del raddrizzatore a ponte attraverso il foro GBU
DIODI
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-MUR3020WTPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-MUR3020WTPBF

Un catodo comune a serie di diodi 200 V 15A di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFBG30PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFBG30PBF

N-Manica 1000 V 3.1A (TC) 125W (TC) attraverso il foro TO-220AB
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFBE30PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFBE30PBF

N-Manica 800 V 4.1A (TC) 125W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Produttore
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di V30100C-E3/4W NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di V30100C-E3/4W NUOVE E

Un catodo comune a serie di diodi 100 V 15A di 1 paio attraverso il foro TO-220-3
VISHAY
AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGS10B60KDTRRP NUOVE E

AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRGS10B60KDTRRP NUOVE E

Supporto di superficie D2PAK di IGBT NPT 600 V 22 A 156 W
Infineon
IRF1407PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

IRF1407PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

N-Manica 75 V 130A (TC) 330W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
IRF1404PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

IRF1404PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

N-Manica 40 V 202A (TC) 333W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-MBR6045WTPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-MBR6045WTPBF

Un catodo comune a serie di diodi 45 V 30A di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 2W10G-E4/51

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 2W10G-E4/51

Norma di monofase del raddrizzatore a ponte 1 chilovolt attraverso il WOG del foro
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR1018ETRPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR1018ETRPBF

Supporto D-Pak della superficie 110W (TC) di N-Manica 60 V 56A (TC)
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SIHF12N50C-E3

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI SIHF12N50C-E3

N-Manica 500 V 12A (TC) 36W (TC) attraverso il pacchetto completo del foro TO-220
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA30PA60CPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA30PA60CPBF

Un catodo comune a serie di diodi 600 V 15A (CC) di 1 paio attraverso il foro TO-247-3
VISHAY
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR7540TRPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR7540TRPBF

Supporto D-PAK (TO-252AA) della superficie 140W (TC) di N-Manica 60 V 90A (TC)
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR3806TRPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR3806TRPBF

Supporto D-Pak della superficie 71W (TC) di N-Manica 60 V 43A (TC)
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR5305TRPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR5305TRPBF

Supporto D-Pak della superficie 110W (TC) di P-Manica 55 V 31A (TC)
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU120NPBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU120NPBF

N-Manica 100 V 9.4A (TC) 48W (TC) attraverso il foro IPAK (TO-251AA)
Infineon
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU5410PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU5410PBF

P-Manica 100 V 13A (TC) 66W (TC) attraverso il foro IPAK (TO-251AA)
Infineon
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