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Componenti elettronici
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFU9024NPBF |
P-Manica 55 V 11A (TC) 38W (TC) attraverso il foro IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di VS-HFA08SD60STRPBF NUOVE E |
Supporto di superficie D-PAK (TO-252AA) del diodo 600 V 8A
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo 80CNQ045ASM NUOVE E |
Un catodo comune a serie di diodi 45 V 40A di 1 paio attraverso il foro D-61-8-SM
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VISHAY
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1018EPBF NUOVE E |
N-Manica 60 V 79A (TC) 110W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo IRF100B201 NUOVE E |
N-Manica 100 V 192A (TC) 441W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1405PBF NUOVE E |
N-Manica 55 V 169A (TC) 330W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1407STRLPBF NUOVE E |
N-Manica 75 V 100A (TC) 3.8W (tum), supporto D2PAK della superficie 200W (TC)
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1312PBF NUOVE E |
N-Manica 80 V 95A (TC) 3.8W (tum), 210W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRF1404ZSTRLPBF NUOVE E |
Supporto PG-TO263-3 della superficie 200W (TC) di N-Manica 40 V 180A (TC)
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Infineon
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IRLB3034PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE |
Canale N 40 V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Foro passante TO-220AB
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Produttore
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB3036PBF NUOVE E |
N-Manica 60 V 195A (TC) 380W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRLB3813PBF NUOVE E |
N-Manica 30 V 260A (TC) 230W (TC) attraverso il foro TO-220AB
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Infineon
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AZIONE ORIGINALI del transistor di effetto di campo di IRFD120PBF NUOVE E |
N-Manica 100 V 1.3A (tum) 1.3W (tum) attraverso il foro 4-HVMDIP
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VISHAY
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IRFR3709ZTRPBF |
Supporto D-Pak della superficie 79W (TC) di N-Manica 30 V 86A (TC)
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Infineon
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2SC2712-GR,LF Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz un supporto di superficie da 150 Mw S-mini
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TOSHIBA
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2SC2712-Y,LF memoria flash IC NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz un supporto di superficie da 150 Mw S-mini
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TOSHIBA
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TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Transistor bipolare (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W attraverso il foro TO-220
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Semi ON / Semi Catalizzatore
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TIP31C STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Bipolare (BJT) transistor NPN 100 V 3 A 2 W attraverso foro TO-220
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STMicroelectronics
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8ETH06 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
Diodo 600 V 8A Foro passante TO-220AC
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VISHAY
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BCM846SH6327XTSA1 IC di memoria flash NUOVO E ORIGINALE |
Array di transistor bipolari (BJT) 2 NPN (doppio) 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW A montaggio superficial
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Infineon
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GRM033R71A122KA01D STOCK NUOVO E ORIGINALE |
1200 condensatore ceramico del PF ±10% 16V X7R 0201 (0603 metrici)
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Muratta
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GRM155R61C105KA12D condensatore ad alta temperatura nuovo e originale |
Condensatore ceramico 1 µF ±10% 16 V X5R 0402 (1005 metrico)
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Muratta
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